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失效分析是对于电子元件失效原因进行诊断，在进行失效分析的过程中，往往需要借助仪器设备，以及化学类手段进行分析，以确认失效模式，判断失效原因，研究失效机理，提出改善预防措施。其方法可以分为有损分析，无损分析，物理分析，化学分析等。其中在进行微观形貌检测的时候，尤其是需要观察断面或者内部结构时，需要用到离子研磨仪+扫描电镜结合法，来进行失效分析研究。
离子研磨仪目前是普遍使用的制样工具，可以进行不同角度的剖面切削以及表面的抛光和清洁处理，以制备出适合半导体故障分析的 SEM 用样品。
离子研磨仪
TECHNOORG LINDA
1
扫描电镜
Phenom SEM
2
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离子研磨仪的基本原理
晶片失效分析思路和方法
案例分享 1
优先判断失效的位置
锁定失效分析位置后，决定进行离子研磨仪进行切割
离子研磨仪中进行切割
切割后的样品，放大观察
放大后发现故障位置左右不对称
进一步放大后，发现故障位置挤压变形，开裂，是造成失效的主要原因
变形开裂位置
放大倍数：20,000x
变形开裂位置
放大倍数：40,000x
IC封装测试失效分析
案例分享 2
对失效位置进行切割
离子研磨仪中进行切割
位置1. 放大后发现此处未连接。放大倍数：30,000x
位置2. 放大后发现此处开裂。放大倍数：50,000x
PCB/PCBA失效分析
案例分享 3
离子研磨仪
SC-2100
适用于离子束剖面切削、表面抛光
可预设不同切削角度制备横截面样品
可用于样品抛光或最终阶段的细抛和清洁
超高能量离子枪用于快速抛光
低能量离子枪适用后处理的表面无损细抛和清洁
操作简单，嵌入式计算机系统，全自动设定操作
冷却系统标准化，应用于多种类样本
高分辨率彩色相机实现实时监控抛光过程
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